[发明专利]一种相变存储器的编程系统及方法无效
| 申请号： | 201210549545.9 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102982841A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李喜;宋志棠;陈一峰;陈后鹏;蔡道林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 编程 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的编程方法，其特征在于，所述编程方法至少包括以下步骤：1）设置相变存储器的n个擦操作子使能模块有效，将所述n个擦操作子使能模块所对应的n个擦操作驱动通道分为m组；2）第一组擦操作驱动通道在第一个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第一目标地址进行擦操作；3）第二组擦操作驱动通道在第二个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第二目标地址进行擦操作；4）依次类推，直至完成第m组擦操作驱动通道在第m个擦操作子控制模块的控制下同时产生至少一个擦操作脉冲，该操作脉冲分别对相变存储器的第m目标地址进行擦操作。
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