[发明专利]沟道式栅极金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了沟道式栅极金属氧化物半导体场效晶体管。N型外延层位于N型基底上，且具有第一沟道及位于第一沟道下方的第二沟道。第一沟道宽于第二沟道。第一绝缘层位于第二沟道中。第一导体层及第二导体层分别位于第一沟道的下部及上部。第二绝缘层位于第一导体层与N型外延层之间以及第一绝缘层与第一导体层之间。第三绝缘层位于第二导体层与N型外延层之间。第二绝缘层厚于第三绝缘层。P型第一掺杂区位于第一沟道底部的N型外延层中且环绕第二沟道的顶部。P型第二掺杂区位于第二沟道底部的N型外延层中。源极区位于N型外延层中且环绕第一沟道的顶部。

主权项

一种沟道式栅极金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：具有一第一导电型的一基底；具有该第一导电型的一外延层，配置于该基底上，该外延层中具有一第一沟道及一第二沟道，该第二沟道位于该第一沟道下方，且该第一沟道的宽度大于该第二沟道的宽度；一第一绝缘层，配置于该第二沟道中；一第一导体层，配置于该第一沟道的下部；一第二导体层，配置于该第一沟道的上部；一第二绝缘层，配置于该第一导体层与该外延层之间以及该第一绝缘层与该第一导体层之间；一第三绝缘层，配置于该第二导体层与该外延层之间，且该第二绝缘层的厚度大于该第三绝缘层的厚度；具有一第二导电型的一第一掺杂区，配置于该第一沟道底部的该外延层中且环绕该第二沟道的顶部；具有该第二导电型的一第二掺杂区，配置于该第二沟道底部的该外延层中；以及具有该第一导电型的一源极区，配置于该外延层中且环绕该第一沟道的顶部。