[发明专利]非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

摘要

本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，包括步骤：提供一基片；对基片表面进行通氧气的等离子体处理；或者在基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层；在基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺；对非感光性聚酰亚胺进行两段式软烘；光刻胶涂布和软烘；进行曝光；进行显影；用光刻胶剥离工艺去除光刻胶；对非感光性聚酰亚胺进行固化。本发明能消除非感光性聚酰亚胺的掀起问题，能提高生产效率，减少显影过程中显影液对金属腐蚀的风险。

主权项

一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一需要在表面制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片；所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕，所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述顶层金属连线上方并作为所述半导体器件的钝化层；或者，所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕、且在所述顶层金属连线上形成有介质层钝化层，所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述介质层钝化层上方并和所述介质层钝化层一起作为所述半导体器件的钝化层；步骤二、对所述基片表面进行等离子体处理，在所述等离子体处理过程中通入氧气，用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力；或者在所述基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层，并采用光刻刻蚀工艺对所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层进行处理形成图形结构，刻蚀后所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层仅位于需要形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层的区域，用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力；步骤三、在所述基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺；所述非感光性聚酰亚胺的厚度要满足形成于所述基片中的半导体器件的耐压需要，所述基片中的半导体器件的耐压性能越高，非感光性聚酰亚胺的厚度也要求越高；步骤四、采用两段式软烘法对所述非感光性聚酰亚胺进行软烘，所述两段式软烘法包括主烘和辅烘，所述辅烘的温度高于所述主烘的温度；所述主烘的温度不高于110℃、时间不少于2分钟，所述辅烘的温度不高于130℃、时间不高于5分钟；温度较高的所述辅烘时间的设置用于降低高温烘烤时间，提高所述非感光性聚酰亚胺的显影速率；步骤五、在所述非感光性聚酰亚胺的表面上涂布光刻胶，对所述光刻胶进行软烘；步骤六、对所述光刻胶进行曝光，该曝光定义出所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域的图形结构；步骤七、进行显影，该显影工艺将所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域外的所述光刻胶以及所述非感光性聚酰亚胺去除，仅保留所述非感光性聚酰亚胺钝化层的形成区域的所述光刻胶以及所述非感光性聚酰亚胺；步骤八、用光刻胶剥离工艺去除显影后的所述光刻胶；步骤九、对去除光刻胶后的所述非感光性聚酰亚胺进行固化并形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层。