[发明专利]包括多电平单元的非易失性存储器设备和系统及方法有效
| 申请号： | 201210551887.4 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102982844A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 姜东求;蔡东赫;李承宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电平 单元 非易失性存储器 设备 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器设备的操作方法，所述非易失性存储器设备包括在第一状态或第二状态中编程的多个存储器单元，所述第一状态和第二状态是所述多个存储器单元的相应编程的阈值电压分布，该方法包括：输出利用所述第一状态与第二状态之间的电压范围之内的多个初步读取电压而从多个存储器单元中读出的数据；参照输出数据，对按照所述多个初步读取电压而排列的多个子电压范围中的每一个内的相应的存储器单元的数量进行计数；参照所计数的相应的存储器单元的数量，确定所述多个存储器单元的读取电压，以在所述第一状态和第二状态之间进行区分；以及设置所述非易失性存储器设备来基于所确定的读取电压而存取所述多个存储器单元。
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