[发明专利]表面镀膜结构及其制造方法有效
申请号: | 201210552092.5 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103872148A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 郑金祥;江雨龙;郭泰照;吴信贤;陈刚毅;郑宗杰 | 申请(专利权)人: | 郑金祥 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 中国台湾台南市北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种表面镀膜结构及其制造方法,适用于太阳热电系统。此表面镀膜结构包含基板、缓冲中介层、吸收层及抗反射层。基板由耐高温、高导热系数材质所构成,再使用化学气相沉积法或物理气相沉积法于基板上接续沉积缓冲中介层、吸收层及抗反射层。缓冲中介层为松弛基板与吸收层的间热膨胀应力;吸收层为吸收及捕陷太阳光的膜层,具有陷光效果的立体多孔状陷光结构;抗反射层则为降低太阳光反射率,增加吸收层吸收光线比例及进一步提升陷光效果。 | ||
搜索关键词: | 表面 镀膜 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种表面镀膜结构,适用于太阳热能发电的高温热能吸收,其特征在于,该表面镀膜结构依次包括:一基板;一缓冲中介层,覆盖在该基板上;一吸收层,覆盖在该缓冲中介层上,该吸收层吸收并转换太阳光成为一热能,其中该缓冲中介层缓冲该热能引起的该基板与该吸收层的热膨胀;以及一抗反射层,覆盖在该吸收层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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