[发明专利]具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法有效
| 申请号： | 201210552142.X | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102983174B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;刘斌;曾庆平;严慧;甘程;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外延的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层。本发明的有益效果是，制作工艺得到了简化，适用于应变PMOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 应变 pmosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、漏极、源区、漏区、栅氧化层、栅极、两个轻掺杂漏区、两个侧墙及半导体衬底，其特征在于，还包括分别设置在源区与漏区外侧的两个槽型结构，所述槽型结构、源区、漏区、栅极及侧墙的上表面覆盖有一层张应变刻蚀阻挡层，利用张应变刻蚀阻挡层和槽型结构能够使张应变刻蚀阻挡层在沟道区域引入压应力。
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