[发明专利]一种CMOS图像传感器像素阵列及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210552265.3 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103066086B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 顾学强;周伟 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种CMOS图像传感器像素阵列,包括多个像素单元,每个像素单元包括光电二极管,基于入射光产生电荷;以及传输晶体管,其栅极将光电二极管产生的电荷转移至其悬浮漏极;其中,所述多个像素单元的传输晶体管的悬浮漏极面积从所述像素阵列的边缘向中心递增。本发明还公开了一种CMOS图像传感器像素阵列的制造方法。本发明能够有效对图像暗角进行补偿,以提高图像质量。
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 像素 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种CMOS图像传感器像素阵列,包括多个像素单元,每个像素单元包括光电二极管以及传输晶体管,所述光电二极管基于入射光产生电荷;所述传输晶体管栅极将所述光电二极管产生的电荷转移至其悬浮漏极;其特征在于,所述多个像素单元的传输晶体管悬浮漏极的面积从所述像素阵列的边缘向中心递增。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210552265.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top