[发明专利]一种CuGaX2(X=S, Se, Te)系列化合物的低温合成方法无效

专利信息
申请号: 201210552266.8 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103043629A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 张建;秦晓英;辛红星;宋春军;郭广磊;李地;王兆明 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;C01G15/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种CuGaX2(X=S,Se,Te)系列化合物的低温合成方法,包括以下步骤:量取适量有机溶剂液体,倒入三口烧瓶内,有机溶剂体积为烧瓶容量的30-35%,视烧瓶容量大小而定;按化学计量比称量原料CuCl,GaCl3,单质X粉末,加入到有机溶剂溶液中,并充分搅拌;加热同时搅拌,并保温足够时间;用去离子水洗涤,过滤,烘干即得到CuGaX2(X=S,Se,Te)系列化合物。该方法有效地降低了CuGaX2(X=S,Se,Te)系列化合物的合成温度以及合成成本,为CuGaX2(X=S,Se,Te)系列热电材料的合成提供了一种新的方法,该方法简单迅速,节约能耗。
搜索关键词: 一种 cugax sub se te 系列 化合物 低温 合成 方法
【主权项】:
一种CuGaX2(X=S, Se, Te)系列化合物的低温合成方法,其特征在于包括以下步骤:(1)首先选取沸点较高的有机溶剂油胺或硅油;(2)量取适量有机溶剂液体,倒入三口烧瓶内,有机溶剂体积为烧瓶容量的30‑35%,视烧瓶容量大小而定;(3)按CuGaX2化学计量比称量原料CuCl,GaCl3,单质X(X=S, Se,或Te)粉末,加入到步骤(2)的有机溶剂溶液中,并充分搅拌;(4)对步骤(3)溶液加热同时搅拌,以2‑4℃/分的升温速率加热到一定温度,并保温足够时间;(对应X=S, Se, Te,加热温度分别为140‑160℃,240‑260℃,290‑310℃,保温时间分别为0.8‑1.2小时,1.8‑2.1小时,23.8‑24.1小时);(5)对步骤(4)保温后的溶液多次用去离子水洗涤,过滤,烘干即得到CuGaX2(X=S, Se,或Te)系列化合物。
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