[发明专利]PECVD装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用有效
申请号: | 201210552273.8 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103866290B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 施嘉诺;曹喆婷 | 申请(专利权)人: | 上海品吉技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 徐申民;杜娟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种适于在不规则表面上镀膜并具有较高沉积速率的PECVD装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用。本发明通过将工艺气体或等离子激发的工艺气体直接导入到待镀膜的样品内,使得本发明的PECVD装置可在不额外设置反应腔体或仅需设置较小尺寸的反应腔体的条件下以较高的沉积速率获得高质量的不规则表面膜。本发明的PECVD装置适用于制备各种不规则表面膜,比如医疗药品容器,食品容器保护膜、输油管道内壁保护膜、晶体硅太阳能电池的双层减反射层、大规模集成电路绝缘膜等不规则表面膜。 | ||
搜索关键词: | pecvd 装置 使用 制备 不规则 表面 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种用于制备不规则表面膜的等离子体增强化学气相沉积装置,包括:气体供应部件;等离子体激发产生部件,其包括等离子体发生腔体和等离子体激发部件,所述等离子体发生腔体内限定有等离子体发生腔室,所述等离子体激发部件的激发源为射频激发源;气体导管;以及真空系统,其包括真空部件和用于密封样品的顶部开口的密封部件,所述真空部件经插入密封部件的真空管道使样品内保持真空;其中,所述气体供应部件中的工艺气体被导入到所述等离子体发生腔室中;以及所述气体导管经所述密封部件被插入到样品中以将所述等离子体发生腔室内等离子激发的工艺气体导入到样品中,并且所述气体导管的形状根据样品的形状被设置成适于使等离子激发的工艺气体与样品内壁充分接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海品吉技术有限公司,未经上海品吉技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210552273.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:现浇混凝土空心结构成孔芯模及其制作方法
- 下一篇:一种简易刮鳞器
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的