[发明专利]PECVD装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201210552273.8 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103866290B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 施嘉诺;曹喆婷 申请(专利权)人: 上海品吉技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/50
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 徐申民;杜娟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种适于在不规则表面上镀膜并具有较高沉积速率的PECVD装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用。本发明通过将工艺气体或等离子激发的工艺气体直接导入到待镀膜的样品内,使得本发明的PECVD装置可在不额外设置反应腔体或仅需设置较小尺寸的反应腔体的条件下以较高的沉积速率获得高质量的不规则表面膜。本发明的PECVD装置适用于制备各种不规则表面膜,比如医疗药品容器,食品容器保护膜、输油管道内壁保护膜、晶体硅太阳能电池的双层减反射层、大规模集成电路绝缘膜等不规则表面膜。
搜索关键词: pecvd 装置 使用 制备 不规则 表面 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种用于制备不规则表面膜的等离子体增强化学气相沉积装置,包括:气体供应部件;等离子体激发产生部件,其包括等离子体发生腔体和等离子体激发部件,所述等离子体发生腔体内限定有等离子体发生腔室,所述等离子体激发部件的激发源为射频激发源;气体导管;以及真空系统,其包括真空部件和用于密封样品的顶部开口的密封部件,所述真空部件经插入密封部件的真空管道使样品内保持真空;其中,所述气体供应部件中的工艺气体被导入到所述等离子体发生腔室中;以及所述气体导管经所述密封部件被插入到样品中以将所述等离子体发生腔室内等离子激发的工艺气体导入到样品中,并且所述气体导管的形状根据样品的形状被设置成适于使等离子激发的工艺气体与样品内壁充分接触。
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