[发明专利]触控电极结构及其制程工艺有效

专利信息
申请号: 201210552359.0 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103870044A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 刘振宇;李禄兴 申请(专利权)人: 宸鸿光电科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台湾台北市内*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种触控电极结构的制造工艺,包括步骤:S1:准备基板,且在基板上界定感测区与围绕于感测区的引线区;S2:形成电极层于基板上;S3:形成第一防蚀刻光学层于该电极层上;S4:蚀刻电极层,经蚀刻后的电极层分为蚀刻区与非蚀刻区;S5:形成第二防蚀刻光学层于第一防蚀刻光学层和基板上,第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于引线区内的第一防蚀刻光学层;S6:蚀刻未被第二防蚀刻光学层遮挡的第一防蚀刻光学层,裸露出位于引线区内的非蚀刻区的电极层;S7:形成信号引线,信号引线设置于引线区内,且电性连接裸露的非蚀刻区的电极层。本发明同时提供采用该制造工艺的触控电极结构。采用本发明的制造工艺,工艺步骤会较少,工艺效率较高。
搜索关键词: 电极 结构 及其 工艺
【主权项】:
一种触控电极结构的制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1:准备一基板,且在该基板上界定一感测区与一围绕于该感测区的引线区;S2:形成一电极层于该基板上;S3:形成一第一防蚀刻光学层于该电极层上;S4:蚀刻未被该第一防蚀刻光学层遮挡的该电极层,经蚀刻后的该电极层分为一蚀刻区与一非蚀刻区;S5:形成一第二防蚀刻光学层于该第一防蚀刻光学层和该基板上,该第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于该引线区内的该第一防蚀刻光学层;S6:蚀刻未被该第二防蚀刻光学层遮挡的该第一防蚀刻光学层,裸露出位于该引线区内的该非蚀刻区的电极层;S7:形成一信号引线,该信号引线设置于该引线区内,且电性连接该裸露的非蚀刻区的电极层。
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