[发明专利]穿硅孔堆叠结构以及其制作方法有效
| 申请号： | 201210552430.5 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779324A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由多个基底叠合而成的穿硅孔堆叠结构，其中每个基底都包含多个渐缩式的穿硅孔，每个渐缩式穿硅孔较粗的一端会具有一凹部，较细的一端则从基底中凸出，基底会以其每个渐缩式穿硅孔的较细端装入另一渐缩式穿硅孔式的较粗端对应凹部中并与其接合的方式来逐一堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅孔 堆叠 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种穿硅孔堆叠结构，其特征在于，包含多个叠合的基底，其中每个所述基底包含：至少一渐缩式穿硅孔导体，贯穿所述基底，其中所述渐缩式穿硅孔导体具有一较粗端以及一较细端，所述较粗端具有一凹部从所述基底的一表面裸露而出，所述较细端从与所述基底的有源面相对的另一表面凸出；其中所述多个基底以将一所述基底的每一所述穿硅孔导体的较细端装入另一所述基底的穿硅孔导体的较粗端上对应的所述凹部中的方式来逐一叠合。
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