[发明专利]利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法

摘要

本发明公开一种利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，高深宽比微结构刻蚀方法包含以下步骤：1、输入低功率低频信号激发等离子体，对晶圆上硬掩膜层，以及不定型碳层或有机掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀；2、将低功率低频信号输入切换为高功率低频信号输入；3、高功率低频信号激发等离子体，对晶圆的二氧化硅层进行高深宽比微结构刻蚀。本发明根据工艺需要切换高频功率输出或低频功率输出，避免了采用高平功率发生器输出低频功率输出时造成的误差较大、重复性差的问题；实现功率输出的精确调节，提高产品合格率，降低成本。

主权项

一种利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，该微结构刻蚀方法所适用的等离子体刻蚀腔室包含：腔室（1），该腔室（1）内分布有等离子体（5）；上电极（2），其设置于所述腔室（1）内的顶部；下电极（3），其设置于所述腔室（1）内的底部；该下电极（3）上放置被刻蚀的晶圆（4）；高频信号源，其输出高频信号至所述下电极（3）；高功率低频信号源与低功率低频信号源，该高功率低频信号源与该低功率低频信号源可切换地输出高功率低频信号或低功率低频信号至所述下电极（3）；所述晶圆（4）包含有光刻胶层、设置在光刻胶层下的硬掩膜层、设置在硬掩膜层下的不定型碳层或有机掩膜层，和设置在所述不定型碳层或有机掩膜层下的二氧化硅层；其特征在于，所述微结构刻蚀方法包含以下步骤：步骤1、输入低功率低频信号激发等离子体（5），对晶圆（4）上硬掩膜层，以及不定型碳层或有机掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀；步骤2、将低功率低频信号输入切换为高功率低频信号输入；步骤3、高功率低频信号激发等离子体（5），对晶圆（4）的二氧化硅层进行高深宽比微结构刻蚀。