[发明专利]超级结器件终端保护结构

摘要

本发明公开了一种超级结器件终端保护结构，适用于超级结器件，终端保护结构是环绕包围超级结器件的有源区，具有多个沟槽环、P型体环，以及金属或多晶硅场板，本发明通过在金属场板下的沟槽环之间跨接P型体环，以及增宽金属场板下的沟槽环的宽度，来优化金属场板边缘下电场分布，降低表面峰值电场，优化横向电势分布，提高器件的耐压性及可靠性。

主权项

一种超级结器件终端保护结构，位于N型外延（2）中的终端区（12），环绕包围超级结器件的元胞区（11），所述终端结构从远离元胞区（11）方向依次排列P型体环（5）、多个P型沟槽环（3）以及场终止环（6）；所述P型沟槽环（3）是间隔排列且沟槽内填充P型硅形成；多个间隔的P型沟槽环（3）与N型外延（2）之间形成纵向P、N型层的交替排列；所述的P型体环（5）是位于P型沟槽环（3）顶侧的外延（2）中；终端P型沟槽环（3）上的外延（2）表面具有非浮空的金属场板（13），以及浮空的多晶硅场板（8）及（14）；场终止环（6）位于终端区（12）最外围一圈；元胞区（11）和终端区（12）的交界过渡区处的P型体环（5）至少覆盖一个P型沟槽环（3）；所述的终端保护结构，其特征在于：所述的非浮空的金属场板（13）的延伸末端下方的P型沟槽环（3a）、(3b)的宽度大于其他的P型沟槽环(3)，且P型沟槽环（3a）、(3b)之间具有P型体环(5)跨接。