[发明专利]P型LDMOS器件的沟槽及工艺方法

摘要

本发明公开了一种P型LDMOS器件的沟槽及工艺方法，在P型LDMOS工艺中，需要将源极与衬底进行电性连接，传统采用的多晶硅深沟槽工艺复杂且容易形成漏电，本发明将多晶硅深沟槽替换为钨沟道，并在沟槽底部及沟槽侧壁形成金属硅化物，使源区与衬底形成较好的连接，简化工艺流程，避免刻蚀误差出现栅极或源漏漏电，提高器件的稳定性。

主权项

一种P型LDMOS器件的沟槽工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在重掺杂的N型硅衬底上淀积轻掺杂N型外延，外延表面生长一层牺牲氧化层，光刻定义出P型阱区，进行离子注入；第2步，去除光刻胶及牺牲氧化层，淀积栅氧化层，再淀积多晶硅并注入，最后再淀积一层钨硅；第3步，光刻定义出沟道区，进行干法刻蚀去除沟道区上方的钨硅、多晶硅及栅氧，使外延露出，进行离子注入形成N型沟道区；第4步，对钨硅、多晶硅以及栅氧化层进行干法刻蚀，形成P型LDMOS器件的栅极区；第5步，制作栅极侧墙，进行轻掺杂漏注入；第6步，光刻胶定义出P型LDMOS器件的源区及漏区，并进行P型离子注入；第7步，去除光刻胶，在整个器件表面淀积介质层，并进行化学机械研磨；第8步，光刻定义出沟槽区，刻蚀介质层到外延表面，去除光刻胶，利用介质层为硬掩膜刻蚀沟槽，沟槽底部位于衬底中；第9步，淀积Ti及TiN,快速热过程在沟槽底部及内壁形成金属硅化物；第10步，沟槽内填充金属钨，并化学机械平坦化研磨至介质层；第11步，再次在器件表面淀积介质层。