[发明专利]一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法

摘要

本发明的名称为一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al‑Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。

主权项

一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法，其特征在于包括以下工艺步骤：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再按顺序分别装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵先将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围800~1100℃，并进行铝杂质源预沉积恒温扩散，时间为40~200分钟；⑶之后再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围，并同时进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。