[发明专利]具有四元InAlGaN的LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210554795.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103022290A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张宇;余小明;周佐华;农明涛 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有四元InAlGaN的LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构包括：衬底，衬底上，由下至上依次设置有GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱发光层、p型掺杂的InAlGaN电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，n型掺杂的GaN层及多量子阱发光层之间设置有InAlGaN应力释放层。本发明在n型掺杂的GaN层及多量子阱发光层之间插入InAlGaN应力释放层，可以释放多量子阱的应力，提高内部量子效率，使得单位面积的多量子阱发光层的发光效率更高，且其生产方便，适于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 inalgan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有四元InAlGaN的LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上，由下至上依次设置有GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱发光层、p型掺杂的InAlGaN电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，其特征在于，所述n型掺杂的GaN层及所述多量子阱发光层之间设置有InAlGaN应力释放层。
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