[发明专利]阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210555373.6 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103035840A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;殷士辉;黄如;方亦陈 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括：底电极、阻变层、顶电极，所述阻变层位于所述底电极之上；所述顶电极位于所述阻变层之上；所述底电极之上设置有导电突起，所述导电突起嵌在所述阻变层内，且所述导电突起顶部宽度小于底部宽度。本发明实施例还公开了一种阻变存储器的制备方法。本发明实施例所提供的阻变存储器及其制备方法，通过在底电极上设置导电突起，可以产生“避雷针”效应，使得阻变层中电场集中分布在导电突起的附近，极大的增加了导电细丝在导电突起处生成的概率，使导电细丝的生成不再是随机的，确保了阻变存储器中各个参数的稳定性，从而大大提高了阻变存储器工作的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于，包括底电极、阻变层、顶电极，所述阻变层位于所述底电极之上；所述顶电极位于所述阻变层之上；所述底电极之上设置有导电突起，所述导电突起嵌在所述阻变层内，且所述导电突起顶部宽度小于底部宽度。
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