[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210556439.3 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103050431A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽；在750℃~900℃温度条件下，通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁以及隔离沟槽两侧的半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氧化层，所述氧化层填满底部和侧壁形成有衬垫氧化层的隔离沟槽；平坦化所述氧化层和衬垫氧化层，至暴露出所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。本发明所形成的浅沟槽隔离结构中不包含空洞，隔离效果好，包含浅沟槽隔离结构的半导体器件的稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽；在750℃~900℃温度条件下，通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁以及隔离沟槽两侧的半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氧化层，所述氧化层填满底部和侧壁形成有衬垫氧化层的隔离沟槽；平坦化所述氧化层和衬垫氧化层，至暴露出所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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