[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201210557222.4 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103177953A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 太田乔;桥诘彰夫;山口贵大;赤西勇哉 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。进行一边从配置有基板的密闭空间抽吸气体,一边向密闭空间供给非活性气体的前处理工序。然后进行蚀刻工序,在蚀刻工序中,一边以比前处理工序的排气流量小的排气流量从密闭空间排出气体,一边向密闭空间供给处理蒸气。然后进行后处理工序,在后处理工序中,一边以比蚀刻工序的排气流量大的排气流量从密闭空间抽吸气体,一边向密闭空间供给非活性气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其特征在于,包括:前处理工序,一边以前处理排气流量从配置有基板的密闭空间抽吸气体,一边向上述密闭空间供给非活性气体;蚀刻工序,在进行了上述前处理工序之后,一边以比上述前处理排气流量小的蚀刻排气流量从上述密闭空间排出气体,一边向上述密闭空间供给处理蒸气,利用因处理蒸气凝聚在上述基板上而形成在上述基板上的液膜,对上述基板进行蚀刻;后处理工序,在进行了上述蚀刻工序之后,一边以比上述蚀刻排气流量大的后处理排气流量从上述密闭空间抽吸气体,一边向上述密闭空间供给非活性气体。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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