[发明专利]一种提高有机场效应晶体管性能的方法

摘要

一种采用氧化性或还原性气体来提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法。本发明对于空气间隙，底栅极和顶栅极三类器件结构，在相应工艺环节，对有机单晶半导体材料按照报道体类型做气体吸附处理。把基于p-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管器件暴露在氧化性气体中提高迁移率等性能；把基于n-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管暴露在还原性气体中提高迁移率等性能。可以提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管的迁移率和开关比等性能，本发明操作简单、成本低、应用前景广阔。

主权项

提高空气间隙结构的有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法，参照现有技术制备有机单晶半导体材料及空气间隙场效应晶体管，其特征是：场效应晶体管制备完成后，在腔体内充入相关的气体，其中：p‑型半导体通入氧化性气体，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n‑型半导体通入还原性酒精气体，使气体吸附到沟道处。