[发明专利]一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210558819.0 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103050622A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;张金箭;孙华军;王青;徐小华 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其中所述功能材料层由譬如Ag5In5Sb60Te30、Ag5.5In6.5Sb59Te29、Ag7In3Sb60Te30、Ag3In4Sb76Te17、Ag12.4In3.8Sb55.2Te28.6、Ag3.4In3.7Sb76.4Te16.5、AgSbTe2和AgInTe等分子式结构的硫系合金化合物制成。本发明还公开了相应的制备方法。通过本发明，能够以低成本、便于操控的方式来制备忆阻器元件，而且所制得的产品可提供非易失性的中间阻态，并能实现对电阻的多级连续可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 aginsbte 化合物 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器，该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层，其特征在于：所述功能材料层由AgInSbTe硫系合金化合物制成。
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