[发明专利]三阱隔离二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210559082.4 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103367461A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H02M3/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱，形成在外延层中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，形成在外延层中，第二阱具有第一导电类型并围绕第一阱；第三阱，形成在外延层中，第三阱具有第二导电类型并围绕第二阱。三阱隔离二极管包括形成在外延层中的深阱，深阱具有第一导电类型并延伸到第一阱的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三阱隔离二极管，包括：衬底，具有第一导电类型；隐埋层，位于所述衬底中，其中，所述隐埋层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；外延层，位于所述衬底和所述隐埋层上方，其中，所述外延层具有所述第一导电类型；第一阱，位于所述外延层中，其中，所述第一阱具有所述第二导电类型；第二阱，位于所述外延层中并围绕在所述第一阱的周围，其中，所述第二阱具有所述第一导电类型；第三阱，位于所述外延层中并围绕在所述第二阱的周围，其中，所述第三阱具有所述第二导电类型；以及深阱，位于所述外延层中并延伸到所述第一阱的下方以电连接至所述第一阱的相对侧上的所述第二阱，其中，所述深阱具有所述第一导电类型。
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