[发明专利]一种通孔或接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201210560146.2 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021934A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;杜若昕;刘志强;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种通孔或接触孔的形成方法，所述方法包括：刻蚀第一电介质层；刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层，以暴露出位于所述刻蚀阻挡层下方的第二电介质层中的金属结构；其特征在于，所述刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层包括：重复执行第一刻蚀过程；其中，所述第一刻蚀过程由下述步骤（a）和（b）组成：（a）在第一时间段内，向反应腔室内施加高射频功率，以对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；（b）在第二时间段内，向反应腔室内施加低射频功率，以淀积聚合物用以保护所述通孔或接触孔的侧壁。相对于现有技术，采用本发明实施例提供的通孔或接触孔的形成方法制作通孔或接触孔的半导体结构的电性能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔或接触孔的形成方法，其特征在于，所述方法包括：刻蚀第一电介质层；刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层，以暴露出位于所述刻蚀阻挡层下方的第二电介质层中的金属结构；其特征在于，所述刻蚀位于所述第一电介质层下方的刻蚀阻挡层包括：重复执行第一刻蚀过程；其中，所述第一刻蚀过程由下述步骤（a）和（b）组成：（a）在第一时间段内，向反应腔室内施加高射频功率，以对所述刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；（b）在第二时间段内，向反应腔室内施加低射频功率，以淀积聚合物用以保护所述通孔或接触孔的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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