[发明专利]通过层转移制备柔性结构的方法及中间结构和柔性结构有效
| 申请号： | 201210560671.4 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103177935B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡贝特·莫里索;马克西姆·阿古德;弗兰克·富尔内尔;弗雷德里克·马泽恩;克里斯托弗·莫拉勒斯 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 李丙林,张英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了通过层转移制备柔性结构的方法及中间结构和柔性结构。其中用于制备柔性结构(13)的方法包括以下步骤在第一和第二有源基底(1、2)中注入离子物质以分别形成第一和第二脆化区(3.5、4.6)，从而限定第一和第二薄膜(3、4)，提供柔性基底(9)，其硬度R小于或等于107GPa·μm3，分别将所述第一和第二薄膜(3、4)固定到所述柔性基底(9)的第一和第二面上从而形成包括由所述第一和第二脆化区(3.5、4.6)限定的柔性结构(13)的堆叠(12)，所述柔性结构(13)具有适合允许转移所述第一和第二薄膜(3、4)的硬化作用，以及利用热平衡从而将所述第一和第二薄膜(3、4)转移到所述柔性基底(9)上。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 转移 制备 柔性 结构 方法 中间 | ||
【主权项】：
一种用于制造柔性结构(13)的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：‑在第一有源基底(1)中注入离子物质以形成第一脆化区(3.5)，从而限定第一薄膜(3)，‑在第二有源基底(2)中注入离子物质以形成第二脆化区(4.6)，从而限定第二薄膜(4)，‑提供柔性基底(9)，其硬度R小于或等于107GPa·μm3，‑分别将所述第一和第二薄膜(3、4)固定到所述柔性基底(9)的第一面和第二面上从而形成包括由所述第一和第二脆化区(3.5、4.6)限定的柔性结构(13)的堆叠(12)，所述柔性结构(13)具有适合允许转移所述第一和第二薄膜(3、4)的硬化作用，以及‑利用断裂热平衡，从而将所述第一和第二薄膜(3、4)转移到所述柔性基底(9)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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