[发明专利]一种PSS图形化衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210562272.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887375A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种PSS图形化衬底刻蚀方法，包括，提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；结束刻蚀；其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。通过本发明实施例提供的PSS刻蚀方法，抑制了现有技术中通过降低下电极功率的方法造成PSS图形底宽的大量增加以及造成生产效率下降的问题，且在有效抑制底宽的同时提高整个主刻蚀过程的选择比，改善了PSS刻蚀工艺，提高了GaN外延的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pss 图形 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种PSS图形化衬底刻蚀方法，该方法包括：其特征在于，提供衬底，并在衬底上制作具有所需图形的掩膜；按照主刻蚀过程对衬底进行刻蚀；按照过刻蚀过程对衬底进行刻蚀；结束刻蚀；其中，所述主刻蚀过程包括N个刻蚀子过程，对于相邻的两个刻蚀子过程，后一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率高于前一个刻蚀子过程所采用的下电极射频功率，N为大于或等于3的整数。
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