[发明专利]单晶体的制造方法和设备有效
| 申请号： | 201210562337.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103173848A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | G·拉明;L·阿尔特曼绍夫尔;G·拉特尼科斯;J·兰德里钦格;J·洛布迈尔;A·霍尔津格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B13/20;C30B13/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于通过浮区法制造单晶体的方法，其中单晶体在感应加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发通过围绕所述单晶体的反射器被阻碍，其特征在于，所述单晶体在结晶边界的外边缘区域中通过第一区中的加热装置被加热，其中所述结晶边界的外边缘处的外三相点Ta与所述结晶边界的中心Z之间的距离Δ受到影响。
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