[发明专利]一种LED外延片生长方法有效
| 申请号： | 201210563126.0 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103107255A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 苗振林;张宇;牛凤娟 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种LED外延片生长方法，在生长N型掺杂Si的GaN层时，采用掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层交替生长方法。该生长方法保持原来N型GaN层的厚度，将传统生长方法持续生长的掺杂Si的GaN层改进为生长掺杂Si的N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层构成的交替结构层，在一定程度上节约掺杂剂的用量。并且，在生长掺杂Si的GaN层和不掺杂Si的GaN层的交替结构中，掺杂Si的GaN层为低电阻值，而不掺杂Si的GaN层为高电阻值，高、低电阻值N型GaN层在电流输送过程中，使得电子横向扩展能力加强，从而降低了驱动电压，同时提升了亮度和光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片生长方法，其特征在于，在衬底上，依次生长低温GaN缓冲层，不掺杂Si的GaN层，掺杂Si的GaN层，量子阱MWQ，P型AlGaN层和掺杂Mg的P型GaN层，其中所述生长掺杂Si的GaN层包括以下步骤：1）生长掺杂Si的第一N型GaN层；2）生长掺杂Si的第二N型GaN层；3）生长掺杂Si的第三N型GaN层和不掺杂Si的U型GaN层的交替层。
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