[发明专利]直拉单晶直径测量方法有效
| 申请号： | 201210563386.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103046128A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 石磊;邢建龙 | 申请（专利权）人： | 西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种直拉单晶直径测量方法，包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对单晶生长图像进行处理，CCD摄像头的分辨率高于200万像素，对单晶生长图像进行处理包括步骤：提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓；将晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界；将椭圆边界校正成圆形边界；以及获得单晶直径。本发明直拉单晶直径测量方法测定结果精度高，且操作简单，无噪音干扰。本发明可用于测量引晶、放肩、转肩及等径过程的单晶直径的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉单晶 直径 测量方法 | ||
【主权项】：
一种直拉单晶直径测量方法，包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对所述单晶生长图像进行处理，其特征在于，所述CCD摄像头的分辨率高于200万像素，对所述单晶生长图像进行处理包括步骤：提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓；将所述晶体轮廓进行拟合，获得椭圆边界；将所述椭圆边界校正成圆形边界；以及获得单晶直径。
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