[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法有效
| 申请号： | 201210563911.6 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066170A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 毕少强 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺沉积金属，形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同，所述电沉积工艺时间远小于电沉积工艺形成薄膜的时间；以所述金属纳米颗粒作为掩膜，刻蚀所述导电层，形成图形化的导电层；以所述图形化的导电层为掩膜，刻蚀所述衬底；去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒，形成纳米级图形化衬底。该方法利用电沉积工艺在导电层上形成金属纳米颗粒，进而利用金属纳米颗粒为掩膜刻蚀导电层，然后刻蚀衬底以形成纳米级图形化衬底。具有工艺简单，工艺成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成导电层；在所述导电层上使用电沉积工艺形成金属纳米颗粒，所述金属与导电层的材质不同；以所述金属纳米颗粒作为掩膜，刻蚀所述导电层，形成图形化的导电层；以所述图形化的导电层为掩膜，刻蚀所述衬底；去除所述图形化的导电层和金属纳米颗粒，形成纳米级图形化衬底。
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