[发明专利]背照式CMOS影像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201210564317.9 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066088A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 高喜峰;叶菁 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括：提供器件晶圆及功能器件；利用键合工艺将所述器件晶圆及功能器件结合在一起；利用金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀所述器件晶圆及功能器件，形成接触孔。通过该方法能够形成质量可靠的接触孔，从而可获取可靠性高的增强型器件晶圆，并进而提高了背照式CMOS影像传感器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆及功能器件；利用键合工艺将所述器件晶圆及功能器件结合在一起；利用金属硬掩膜作为掩膜，刻蚀所述器件晶圆及功能器件，形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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