[发明专利]一种半导体用石英的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种半导体用石英的表面处理方法，经喷砂处理、酸刻蚀、有机溶液浸泡、酸溶液浸泡后进行超声处理。本发明的方法，采用物理、化学相结合的方法，对石英特别是特定的应用于半导体制程的石英零件进行表面处理，使石英在获得平均粗糙度Ra的基础上，再对表面进行微粗化处理，解决了现有加工技术存在的表面粗糙度不均、微裂缝、微颗粒嵌附等问题。该方法流程简单，其涉及的物理装置操作简易，化学药剂廉价易得。使用此方法得到石英零件表面粗糙度均匀，失效点少，可以明显的降低石英表面沉积膜脱落的几率，从而降低反应腔体微颗粒水平，提高了产品良率。

主权项

一种石英表面处理方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a)将石英进行喷砂处理，获得表面平均粗糙度Ra为2～10μm的石英；b)将步骤a)获得的石英进行酸蚀刻，获得表面无尖峰且蚀刻凹槽深宽度均一的石英；c)采用水对步骤b)获得的石英进行冲淋后采用有机溶剂浸泡；d)采用酸溶液对步骤c)获得的石英进行浸泡；e)采用水对步骤d)获得的石英进行冲淋后进行超声处理；所述酸蚀刻采用的酸蚀刻液由氢氟酸、乙酸、无盐型两性咪唑啉、吐温80、纯水混合而成，其中，所选氢氟酸的质量浓度为49％、乙酸的质量浓度为70％、无盐型两性咪唑啉的质量浓度为99％、吐温80的质量浓度为99％，纯水电阻率为16MΩ·cm，所述酸蚀刻液中各组分的体积份数为：氢氟酸：10～50体积份；乙酸：10～40体积份；无盐型两性咪唑啉：0.02～2体积份：吐温80：0.02～2体积份；纯水：30～80体积份；所述酸蚀刻液温度20～50℃，石英浸入所述酸蚀刻液内10～60min。