[发明专利]稀土卤化物块的制备方法在审

专利信息
申请号: 201210564586.5 申请日: 2003-11-13
公开(公告)号: CN103122483A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: A.伊尔蒂斯 申请(专利权)人: 圣戈班晶体及检测公司
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B11/00;C01F17/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 林森
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及稀土卤化物块的制备方法,具体是涉及一种式AeLnfX(3f+e)多晶卤化物块的制备方法,其中Ln代表一种或多种稀土;X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子;A代表一种或多种碱金属,例如K、Li、Na、Rb或Cs;e可以是零,不大于3f,f不小于1,水和卤氧化物含量低,所述的方法包括下述步骤:加热至少一种含有至少一种Ln-X键的化合物与足够量的NH4X的混合物的步骤,以达到所需要的卤氧化物含量,所述的步骤得到一种含有稀土卤化物的熔块,所述的加热步骤后接一个冷却步骤,在达到300℃之后而得到熔融块之前,加热步骤不降到200℃以下。如此得到的块能生长具有显著闪烁性能的非常纯的单晶。
搜索关键词: 稀土 卤化物 制备 方法
【主权项】:
式AeLnfX(3f+e)的单晶,其特征在于其体积是至少10cm3,式中Ln代表一种或多种稀土,X代表一种或多种选自Cl、Br或I的卤素原子,而A代表一种或多种碱金属,e和f代表下述值:‑e小于或等于3f,‑f大于或等于1,它含有0.1重量%以下的稀土卤氧化物。
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