[发明专利]像素结构及薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种像素结构，其包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管与一储存电容。第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的栅极连接，且第二薄膜晶体管的半导体层突出于其栅极的两相对侧。本发明另提供一种薄膜晶体管，包括一栅极、一电容补偿结构、一半导体层、一介电层、一漏极以及一源极。电容补偿结构电性连接至栅极，且半导体层覆盖部分栅极并延伸重叠于电容补偿结构。

主权项

一种像素结构，包括:一第一薄膜晶体管，具有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一半导体层，该第一源极与该第一漏极接触该第一半导体层；一第二薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二半导体层，该第二源极与该第二漏极接触该第二半导体层，且该第二栅极具有一第一侧边面对该第一栅极，以及一第二侧边远离该第一栅极，其中，该第二栅极连接该第一源极，该第二半导体层具有一第一突出部与一第二突出部沿一第一方向分别突出于该第二栅极的该第一侧边与该第二侧边，该第一突出部的面积实质上小于该第二突出部的面积，且该第二半导体层不与该第一半导体层接触；以及一储存电容，具有一上电极、一下电极与一夹设于该上电极与该下电极间的绝缘层，其中，该上电极由该第二源极与部分该第二半导体层所构成，该下电极由部分该第二栅极所构成，且该绝缘层更设置于该第一薄膜晶体管的该第一栅极与该第一半导体层的间以及设置于该第二薄膜晶体管的该第二栅极与该第二半导体层之间。