[发明专利]一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210564613.9 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103035568A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示领域，可以减少进行构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。所述制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其中，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案通过一次构图工艺完成，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，通过一次构图工艺，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案，其中，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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