[发明专利]一种阻变存储器制备方法无效
| 申请号： | 201210564709.5 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066205A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阻变存储器制备方法。该方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成上电极，获得阻变存储器；在所述阻变存储器上施加预定电压，所述预定电压为使所述阻变存储器由高阻态转变为低阻态的电压；对所述阻变存储器执行退火工艺，以使在所述阻变存储器上施加所述预定电压时所述阻变存储器内的弱导电通道减少。本发明实施例通过在制备RRAM时增加退火工艺，使得RRAM的阻变层内形成的导电通道中，弱导电通道因退火被氧化而消失或减少，从而使得RRAM高低阻态的转变主要由主导电通道决定，从而解决了因弱导电通道的随机开启与关闭对RRAM稳定性的影响，也就提高了RRAM的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成下电极；在所述下电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成上电极，获得阻变存储器；在所述阻变存储器上施加预定电压，所述预定电压为使所述阻变存储器由高阻态转变为低阻态的电压；对所述阻变存储器执行退火工艺，以使在所述阻变存储器上施加所述预定电压时所述阻变存储器内的弱导电通道减少。
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