[发明专利]一种集成功率晶体管的金属布局结构及其方法在审
| 申请号： | 201210566249.X | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103066054A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种集成功率晶体管的金属布局结构及其方法。所述集成功率晶体管的金属布局结构包括：第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层；所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。本申请公开的集成功率晶体管的金属布局结构及其方法减小了金属连接阻抗，提高了系统性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 功率 晶体管 金属 布局 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种集成功率晶体管的金属布局结构，包括：第一金属层，第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层通过通孔连接至第二金属层；所述第二金属层通过超级通孔连接至第三金属层。
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