[发明专利]超薄纳米片半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210567629.5 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103896222A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨晴;周俊;周晓丽;王文亮;陆亚林 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄纳米片半导体材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将第一高沸点有机溶剂加热，得到第一溶液；将A的前驱源AnBm和R的前驱源RjVk在第二高沸点有机溶剂中加热溶解，得到第二溶液；将所述第一溶液和所述第二溶液混合后加热搅拌，即得到超薄纳米片半导体材料。本发明制备工艺简单，重复性好，可控性强，制得的纳米材料的厚度可至1～50nm，为超薄纳米片结构，并且本发明所制备的超薄纳米片半导体材料具有优异的光热转换效果，可作为新型的光热转换材料在太阳能电池或太阳能集热装置中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 纳米 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种超薄纳米片半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将第一高沸点有机溶剂加热，得到第一溶液；（2）将A的前驱源AnBm和R的前驱源RjVk在第二高沸点有机溶剂中加热溶解，得到第二溶液，其中A为金属元素Bi、Mo、W、Sb及Cu中的一种，B为苯基、羰基、环戊二烯基、乙酰丙酮、硝酸根及卤族元素Cl和Br中的一种，R为氧族元素S、Se及Te中的一种，V为苯基或苄基，n=1，1≤m≤6，1≤j≤2，k=2；（3）将所述第一溶液和所述第二溶液混合后搅拌并保温一段时间，即得到超薄纳米片半导体材料。
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