[发明专利]一种导模法生长3"×9"大尺寸薄片状氧化铝单晶体的工艺方法在审
| 申请号： | 201210567914.7 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103898597A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 滑芬;秦承安;赵岩;张克华 | 申请（专利权）人： | 天津市硅酸盐研究所有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/24 | 分类号： | C30B15/24;C30B29/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300111*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种采用导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺方法。采用双层感应线圈、双层钼筒及发热体的加热系统，双层石墨化高纯碳纤维毡夹氧化锆砂的复合高效保温系统，高温梯度区的温度气氛调节组件、次高温梯度区的温度调节屏共同作用的温场调节控制系统，三系统协同作用，为晶体生长提供一个均匀、稳定、可控的温度场环境，形成导模法生长大尺寸晶体的纵横两个方向适宜的温场条件，原料熔化高温熔融区温度均匀，没有局部过热现象，晶体生长大区间的热环境(温场)适宜导膜法晶体生长。控制晶体生长工艺参数，实现3″×9″大尺寸薄片状氧化铝单晶体过程，得到高品质一次成型的大尺寸片状氧化铝单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导模法 生长 尺寸 薄片 氧化铝 单晶体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
本发明涉及提供一种采用导模法晶体生长技术生长3″×9″薄片状氧化铝单晶材料的工艺方法。采用双层感应线圈、双层钼筒及发热体的加热系统，双层石墨化高纯碳纤维毡夹氧化锆砂的复合高效保温系统，高温梯度区的温度气氛调节组件、次高温梯度区的温度调节屏共同作用的温场调节控制系统，三系统协同作用，为晶体生长提供一个均匀、稳定、可控的温度场环境，形成导模法生长大尺寸晶体的纵横两个方向适宜的温场条件，使原料熔化高温熔融区的温度均匀，没有局部过热现象，晶体生长大区间的热环境(温场)适宜导膜法晶体生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市硅酸盐研究所有限公司，未经天津市硅酸盐研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210567914.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种设有安全锁定机构的电视机挂臂
- 下一篇：一种显示器支架
