[发明专利]用于半导体元件的超接面结构及其制程

摘要

本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构及其制程，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。本发明提高了超接面结构的反向耐压且具有高深宽比。

主权项

一种用于半导体元件的超接面结构制程，其特征在于，包含：(a)提供一硅基板，并于该硅基板上形成一第一导电型磊晶层；(b)于该第一导电型磊晶层上制作一掩模层；(c)布植一高浓度第二导电型离子于未被掩模层覆盖的第一导电型磊晶层上；(d)移除该掩模层周缘部份；(e)布植一低浓度第二导电型离子于未被掩模层覆盖的第一导电型磊晶层上；(f)移除该掩模层及在所得结构上形成一第一导电型磊晶覆盖层；(g)重复上述步骤(b)至(f)，以形成多个高浓度第二导电型离子层及多个低浓度第二导电型离子层；及(h)在所得结构上形成一场氧化层及进行热驱入，以使各层的高浓度第二导电型离子层及低浓度第二导电型离子层连接在一起，在第一导电型磊晶层中形成高浓度第二导电型柱及低浓度第二导电型侧壁。