[发明专利]一种用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极有效
| 申请号： | 201210568983.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103022893A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周亮;曹小鸽;余向红 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其包括有硅衬底、制作于硅衬底上，并能将电信号加载到电吸收调制激光器的调制器和激光器上的金属电极层、设于金属电极层上方的电吸收调制激光器以及设于金属电极层与电吸收调制激光器之间，且用于实现电吸收调制激光器与金属电极层的电学互联与垂直方向上的光学对准的焊接凸点层，该硅衬底为硅基波导结构的硅衬底。采用本发明提出的高频电极，用于代替传统的陶瓷和石英上制作的高频电极，既可方便的应用于激光器与硅基波导的混合集成芯片制作与测试中，又能实现精确对准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 吸收 调制 激光器 基波 集成 高频 电极 | ||
【主权项】：
一种用于电吸收调制激光器与硅基波导集成的高频电极，其特征在于，其包括有硅衬底、制作于硅衬底上，并能将电信号加载到电吸收调制激光器的调制器和激光器上的金属电极层、设于金属电极层上方的电吸收调制激光器以及设于金属电极层与电吸收调制激光器之间，且用于实现电吸收调制激光器与金属电极层的电学互联与垂直方向上的光学对准的焊接凸点层，该硅衬底为硅基波导结构的硅衬底。
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