[发明专利]一种IGBT功率模块无效
| 申请号： | 201210569263.5 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103035590A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 任娜;盛况;汪涛;郭清;谢刚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/13 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴辉辉 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有高散热性能的IGBT功率模块，包括芯片、导热绝缘基板、基板，导热绝缘基板由上敷铜层、陶瓷层、下敷铜层组成，下敷铜层的厚度为1.5-2.0mm。本发明通过改变传统IGBT模块结构中材料的尺寸参数，提高了IGBT模块的散热性能，克服了背景技术中传统的IGBT模块存在的缺陷。本发明的IGBT功率模块和传统的IGBT功率模块相比，散热面积增大2-3倍，散热效率提高2-3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种IGBT功率模块，包括芯片(1)、导热绝缘基板、基板(7)，其特征是：导热绝缘基板将芯片(1)与基板(7)绝缘，并在芯片(1)与基板(7)之间传递热量，芯片(1)与导热绝缘基板之间通过第一锡焊层(2)固定连接，基板(7)与导热绝缘基板之间通过第二锡焊层(6)固定连接,导热绝缘基板由上敷铜层(3)、陶瓷层(4)、下敷铜层(5)组成，下敷铜层(5)的厚度为1.5‑2.0mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210569263.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：扣式锂亚硫酰氯电池盖组
- 下一篇：特征尺寸收缩方法
