[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201210570010.X | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103186050A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | Y·C·裴;R·贝尔;朴钟根;李承泫 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/038;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光刻方法。提供了光致抗蚀剂涂覆组合物、以涂覆组合物涂覆的基底和通过负性显影方法形成电子设备的方法。所述组合物、涂覆基底和方法尤其用于半导体设备的制造。提供一种形成电子设备的方法，所述方法包括：(a)提供包括一或多个待图案化的层的半导体基底；(b)在一个或多个待图案化的层之上形成光致抗蚀剂层；(c)在所述光致抗蚀剂层之上涂覆光致抗蚀剂外涂组合物，其中所述外涂组合物包括碱性淬灭剂、聚合物和有机溶剂；(d)在光化辐射中曝光所述层；和(e)用有机溶剂显影剂显影曝光薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子设备的方法，所述方法包括：(a)提供包括一或多个待图案化的层的半导体基底；(b)在一个或多个待图案化的层之上形成光致抗蚀剂层；(c)在所述光致抗蚀剂层之上涂覆光致抗蚀剂外涂组合物，其中所述外涂组合物包括碱性淬灭剂、聚合物和有机溶剂；(d)在光化辐射中曝光所述层；和(e)用有机溶剂显影剂显影曝光薄膜。
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