[发明专利]一种半导体晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210570211.X | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103050411A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 章军云;高建峰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变但每个子层开始生长时NH3的流量随层数而递增，各子层厚度为10～30nm。本发明与现有技术相比，在高方向性的干法刻蚀条件下刻蚀栅脚，既能保证栅脚线宽损失小，也能使栅脚介质形状呈一定倾斜角度，提升了栅金属的覆盖性，进而提升了栅金属的可靠性，完善器件的制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3‑20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN、SiC、InP化合物半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
