[发明专利]源侧非对称预充电编程方案

摘要

一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据。在非对称预充电和施加编程电压之后，所有选择的存储器单元由于它们将从它们相应的NAND串去耦合而被设置为编程禁止状态，并且它们的沟道将被本地提升到有效地禁止编程的电压。VSS偏置的位线将使得本地提升的沟道放电到VSS，从而允许发生选择的存储器单元的编程。VDD偏置的位线将不对预充电的NAND串起作用，从而保持所选择的存储器单元的编程禁止状态。

主权项

一种用于编程具有串联在位线和源极线之间的源极线选择装置、存储器单元和串选择装置的NAND闪存串的方法，包括：将所有的字线驱动至第一传递电压，用于将源极线提供的串预充电电压耦合到所述存储器单元，所述串预充电电压大于所述第一传递电压；将除了与邻接于所述选择的存储器单元的第一存储器单元对应的第一字线之外的所有字线持续驱动至大于所述第一传递电压的第二传递电压，所述第一存储器单元位于所述选择的存储器单元和所述串选择装置之间；将对应于与所述选择的存储器单元邻接的第二存储器单元的第二字线驱动至第一电源电压，用于关断该第二存储器单元；将对应于所述选择的存储器单元的第三字线驱动至大于所述第二传递电压的编程电压；并且将所述位线耦合到所述选择的存储器单元。