[发明专利]沟槽中的成膜工艺方法在审
| 申请号： | 201210571706.4 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103896204A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;郭晓波;刘尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽中的成膜工艺方法，包括步骤：1）在沟槽表面生长隔离介质层；2）涂布含硅的光刻胶，曝光显影，去除不需要保护的区域的光刻胶，然后用强氧化剂在光刻胶表面形成氧化膜并固化；3）根据沟槽底部需要淀积的膜的宽度和光刻胶的厚度，计算出淀积角度，然后以该淀积角度，在硅片上淀积一层成膜材料；4）淀积完成后去除光刻胶。本发明通过在保护区域涂布含硅的光刻胶，并以一定的角度淀积成膜，有效地避免了成膜后，光刻胶残留沟槽底部（正胶）或因沟槽底部光强不够而无法形成有效的光刻胶保护（负胶）的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 中的 工艺 方法 | ||
【主权项】：
沟槽中的成膜工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在沟槽表面生长一层隔离介质层；2）涂布一层含硅的光刻胶，通过曝光显影，去除不需要保护的区域的光刻胶，然后用强氧化剂在光刻胶表面形成一层氧化膜并固化；3）根据沟槽底部需要淀积的膜的宽度和光刻胶的厚度，计算出淀积角度，然后以该淀积角度，在硅片上淀积一层成膜材料；4）淀积完成后去除光刻胶。
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