[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，在所述阴极层表面层叠有由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层。本发明的有机电致发光器件，采用的封装材料廉价，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

主权项

一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，在所述阴极层表面层叠有由若干层有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠组成的混合阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'‑二苯基‑N,N'‑二(1‑萘基)‑1,1'‑联苯‑4,4'‑二胺、8‑羟基喹啉铝、4,4',4''‑三(N‑3‑甲基苯基‑N‑苯基氨基)三苯胺或2,9‑二甲基‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉中的一种；所述无机阻挡层的材质为氧化物、氮化物与硅化物组成的混合物；所述氧化物为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅中的一种，所述氮化物为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一种，所述硅化物为CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一种；所述氧化物占所述无机阻挡层的10wt%～30wt%，所述硅化物占所述无机阻挡层的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述无机阻挡层的45wt%～80wt%。