[发明专利]内埋式电子元件封装结构无效
申请号: | 201210572078.1 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103904061A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 卓瑜甄;郑伟鸣 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种内埋式电子元件封装结构,包括一核心层、一电子元件、一第一介电层、一第二介电层以及多个导通孔。核心层具有一开孔、一第一表面及相对第一表面的一第二表面。电子元件设置于开孔中。第一介电层设置于第一表面上,并填入开孔中,且覆盖电子元件的一侧。第一介电层未填满开孔。第二介电层设置于第二表面上,并填入开孔中,且覆盖电子元件的另一侧,并与第一介电层相接合。第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件。导通孔分别围绕电子元件的周围设置并贯穿第一介电层、第二介电层及核心层,且导通孔分别连通第一介电层及第二介电层。 | ||
搜索关键词: | 内埋式 电子元件 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种内埋式电子元件封装结构,包括:核心层,具有第一表面及相对该第一表面的第二表面,其中,该核心层还具有一开孔;电子元件,设置于该核心层的开孔中;第一介电层,设置于该核心层的第一表面上,并填入该核心层的开孔中,且覆盖该电子元件的一侧,其中,该第一介电层未填满该开孔;第二介电层,设置于该核心层的第二表面上,并填入该核心层的开孔中,且覆盖该电子元件的另一侧,并与该第一介电层相接合,其中,第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件;以及多个导通孔,分别围绕该电子元件的周围设置并贯穿该第一介电层、该第二介电层及该核心层,该些导通孔分别连通该第一介电层及该第二介电层。
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