[发明专利]CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及应用有效
申请号: | 201210572411.9 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103131420A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 蔡林涛;高笃阳;张鹏飞;贾静;胡德红;盛宗海;龚萍 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C09K11/89 | 分类号: | C09K11/89;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种CdHgTe量子点溶液、CdHgTe量子点、双模态半导体纳米材料的制备方法及双模态半导体纳米材料。一种CdHgTe量子点的制备方法,包括如下步骤:将碲溶解于有机膦中得到碲前体;将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应得到沉淀,将沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体;在氮气的保护下,将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至280℃~310℃,加入碲前体,降温至240℃~260℃反应得到反应液;及将反应液与丙酮混合后离心分离,将离心得到的沉淀物溶于氯仿中,加入汞前体反应两小时,加入正己烷和甲醇的混合液,离心后得到CdHgTe量子点溶液。上述CdHgTe量子点溶液的制备方法操作较为简单。 | ||
搜索关键词: | cdhgte 量子 溶液 双模 半导体 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种CdHgTe量子点溶液的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将碲溶解于有机膦中得到碲前体,其中,所述有机膦选自三辛基膦及三丁基膦中的至少一种,所述碲与所述有机膦的质量比为(0.0128~0.128):(0.1~1);将醋酸汞加入到含有氢氧化钾和十二硫醇的甲醇中反应20分钟~40分钟得到沉淀,将所述沉淀干燥洗涤后溶于氯仿中得到汞前体,其中,所述醋酸汞与所述十二硫醇的摩尔比为(1~5):(3~15);在氮气的保护下,将氧化镉、油胺、十四烷基磷酸及十八烯混合后加热至280℃~310℃,加入碲前体,降温至240℃~260℃反应15s~600s得到反应液,其中,所述氧化镉、所述油胺和所述十四烷基磷酸的质量比为(0.0257~0.257):(1~10):(0.122~1.22),所述氧化镉与十八烯的固液比为(0.0257g~0.257g):(8ml~40ml),所述碲前体中的碲与所述氧化镉的质量比为(0.01276~0.1276):(0.0257~0.257);及将所述反应液与丙酮混合后离心分离,将离心得到的沉淀物溶于氯仿中,加入汞前体反应两小时,加入正己烷和甲醇的混合液,离心后得到的上层溶液即为CdHgTe量子点溶液。
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