[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效

专利信息
申请号: 201210572516.4 申请日: 2012-12-25
公开(公告)号: CN103021873A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 曲志乾;于正友;魏薇 申请(专利权)人: 青岛盛嘉信息科技有限公司
主分类号: H01L21/363 分类号: H01L21/363
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 266071 山东省青岛市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种ZnMgO TFT生长工艺及TFT流片工艺,该ZnMgO生长工艺包括:1)腐蚀ITO玻璃;2)生长ZnMgO复合层结构,其中,ZnMgo复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al;2)湿法腐蚀ZnMgO。在TFT流片工艺中,注意在有源层ZnMgO生长过程,减少材料缺陷、优化沟道电导性能,控制栅绝缘层ZnMgO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 生长 工艺
【主权项】:
一种ZnMgO TFT生长工艺,其特征在于该ZnMgO生长工艺包括:腐蚀ITO玻璃;生长ZnMgO复合层结构其中,ZnMgO复合层TFT器件后期制备流程如下:刻蚀Al;湿法腐蚀ZnMgO。
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