[发明专利]抗蚀剂添加剂及包含它的抗蚀剂组合物有效
申请号: | 201210573110.8 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103186043A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 申珍奉;徐东辙;任铉淳;韩俊熙 | 申请(专利权)人: | 锦湖石油化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 黄丽娟;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种由下式(1)表示的抗蚀剂添加剂,以及包含该添加剂的抗蚀剂组合物。根据本发明的添加剂在应用到抗蚀剂组合物时通过在曝光中增加抗蚀剂膜的表面疏水性而能够在浸没式光刻工艺过程中抑制由水引起的浸出,并且在应用到抗蚀剂组合物时能够形成具有优异的敏感度和分辨率的精细的抗蚀剂图案:[化学式1]其中各取代基分别具有与上述定义相同的含义。 | ||
搜索关键词: | 抗蚀剂 添加剂 包含 组合 | ||
【主权项】:
1.由下式(1)表示的抗蚀剂添加剂:[化学式1]其中在式(1)中,R’、R”和R’”各自独立地表示选自氢原子、C1-C4烷基、卤原子和C1-C4卤代烷基的基团,在所述C1-C4卤代烷基中烷基中的一个氢原子被卤素原子所取代;R1和R2各自独立地表示氢原子或者C1-C8烷基;R3表示选自氢原子和下式(2)和(3)表示的官能团的基团:[化学式2][化学式3]其中在式(2)和(3)中,R21表示氢原子或者选自C1-C20烷基、(C1-C20烷氧基)烷基、C3-C30环烷基、甲酰基、(C1-C20烷基)羰基、(C3-C30环烷基)羰基、(C1-C20烷基)羧基、和(C3-C30环烷基)羧基的羟基保护基团;R31表示选自C1-C20卤代烷基、有机硅基团和C3-C20烃基的疏水基团,以使如果R31表示有机硅基团,p表示0,而如果R31表示C1-C20卤代烷基或C3-C20烃基,p表示1;R22和R32各自独立地表示选自C1-C20亚烷基、C2-C20亚烯基、C1-C20杂亚烷基、C2-C20杂亚烯基、C3-C30亚环烷基、C3-C30亚环烯基、C2-C30杂环烷二基和C3-C30杂环烯二基的基团;R23和R33各自独立地表示选自和的酸不稳定性基团,其中Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示选自C1-C20烷基、C3-C30环烷基、(C1-C10烷基)环烷基、羟基烷基、C1-C20烷氧基、(C1-C10烷氧基)烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、(C1-C10烷基)羧基、(C3-C18环烷基)羧基和C3-C30杂环烷基的基团,或者Ra、Rb、Rc和Rd相邻基团可以彼此结合形成C3-C30饱和或不饱和烃环或C2-C30杂环基团;x表示0-3的整数;y表示0-10的整数;R4表示选自C1-C20卤代烷基、有机硅基团和C3-C20烃基的疏水性基团;R5表示选自氢原子、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C3-C30环烷基、C3-C30环烯基、C6-C30芳基、C1-C20杂烷基、C2-C30杂环基团及其组合的基团;l、m、n和o分别表示主链中相应的重复单元的比例,以使l+m+n+o=1,同时0<l/(l+m+n+o)<0.9,0.2<m/(l+m+n+o)<0.9,0≤n/(l+m+n+o)<0.9和0≤o/(l+m+n+o)<0.9,条件是当R3表示氢原子或者由式(2)表示的官能团时,n不是0;和p表示0或1的整数。
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